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为应对众多的应用设计，Multisim14 提供了不同类型的晶体管。例如，在设计低噪声电路时，用户有多个晶体管可以选择。在本电路的设计过程中，选择的晶体管型号为MRF927T1,在相对较高的工作频率下，该器件通常用作低功率、低噪声的放大器。本例的设计步骤包含5个部分，分别是RF晶体管的放置、直流工作点的选择、偏置网络的选择、选择工作频率点以及RF网络分析。

3.操作方法

⑴ RF晶体管的放置

①单击工具栏上射频元器件组按钮，弹出选择元器件对话框。

②在对话框的元器件类“Family" 列表栏中，选择“RFBJT_ NPN"类。

③在元器件列表中选择RF晶体管“MRF927T1”，放置到电路原理图中，如图2.2所示。

⑵直流工作点的选择

直流工作点的设置主要是指Vce和Ic的设置。选择指定的直流工作点存在许多原因，如设计者需要考虑输出的最大摆幅、小的电源功率以及带宽增益。在一些器件的手册中，可以查询它们的直流工作点，另一些器件的直流工作点则需要根据应用类型来选择。对于本设计，直流工作点的选择方法如下。

①Vce的设置: Vce通常要小于Vcc，一般设置为集电极-发射极最大摆幅的Vcc/2左右。在设计中，选择Vce=3V、Vcc=9V。

②Ic的设置:通常选择Ic的标称值为5mA,在晶体管上，任何时刻的耗散功率为Ic*Vce在设计中，为了降低耗散功率，选择Ic为3mA，这个值和Ic标称值5mA是接近的。这样可以获得较好的电流增益带宽和适当的电压增益(在Ic=1mA时，电压增益最大，在Ic=5mA时，电流增益带宽最大)。

⑶偏置网络的选择

为了选择合适的直流偏置网络，可以设计不同的电路结构(注意晶体管和放大器在选择的直流工作点的性能)。本设计中选择的偏置网络如图2.2所示。该偏置网络是最简单的偏置结构，不过它的热稳定性较差。为了确定该结构的电阻值，设计者需要确定Vce、Ic、 Vcc、 Vbe及β的值。β为晶体管的直流增益，通常在器件手册中给出，β=Ic/Ib。Vbe是基极和发射极间的电压，典型值为0.7V。 β和Vbe的值取决于Ic和Ib的值。在如图2.2所示的电路中，初始的电阻值选择R1 =2kΩ、R2 =277kΩ,是根据以下取值计算得到的:

已知：Vce =3V; Ic= 3mA; Vcc =9V ; Vbe =0.7V; β=100

R1和R2的初始值计算方法如下:

R1=Rc=(Vcc-Vce)/Ic=(9V -3V)/3mA =2kΩ

Ib=Ic/β=3mA/100 = 30μA

R2=Rb=(Vcc-Vbe)/Ib=(9V -0.7V)/30μA=277kΩ

根据分析结果，运行电路仿真，以求得较为精确的偏置电阻值，方法如下。

①按图2.2所示连接电路。

②执行菜单Simulate →Analysis →DC operatingpoint命令，弹出DC Operating Point Analysis对话框。

③选择分析的节点为基极电压“V(1)”和集电极电压“V(3)”，如图2.2所示。

图2.2 直流偏置网络设置

④单击DC Operating Point Analysis对话框中的运行（Run）按钮，执行仿真。仿真结束，弹出GrapherView对话框，如图2.3所示。根据GrapherView对话框所示，可以得到: Vce=V(3) =3.32790V, Vbe =V(1) = 800.48909mV,与设计的直流工作点有一定的偏差。